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SIHU5N50D-E3 |
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | Vishay Siliconix | 6168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SIHU5N50D-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK 包装数量：3000 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：500V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.3A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：325pF @ 100V 功率 - 最大值：104W 安装类型：通孔 |
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热门型号： PMIC - 电池BQ26221PWR 功率，高于 2 安G8W-1A7T-R-DC12 Card EdgeGMC19DRYH-S13 端子 - 铲形PV10-8LF-D 数字隔离器ISO7230CDW 配件A16ZA-5060 按钮开关A22EL-M-12A-01 近程E2E2-X5MC2 Card EdgeGMC22DREF-S734 评估演示板和套件BQ34Z651EVM |
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